IRLR3410TRPBF 与 AOD2922 区别
| 型号 | IRLR3410TRPBF | AOD2922 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLR3410TRPBF | A-AOD2922 | ||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | AOS | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Crss(pF) | - | 2.5 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 105mΩ@10A,10V | 140mΩ@10V | ||||||||
| ESD Diode | - | No | ||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 176mΩ | ||||||||
| Qgd(nC) | - | 0.8 | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±16V | 20V | ||||||||
| Td(on)(ns) | - | 5 | ||||||||
| 封装/外壳 | D-Pak | TO-252 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 17A | 7A | ||||||||
| Ciss(pF) | - | 250 | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4V,10V | - | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 800pF @ 25V | - | ||||||||
| Schottky Diode | - | No | ||||||||
| Trr(ns) | - | 19 | ||||||||
| Td(off)(ns) | - | 19 | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 79W(Tc) | 17W | ||||||||
| Qrr(nC) | - | 52 | ||||||||
| VGS(th) | - | 2.7 | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 800pF @ 25V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 34nC @ 5V | - | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 34nC @ 5V | - | ||||||||
| Coss(pF) | - | 19 | ||||||||
| Qg*(nC) | - | 1.8 | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 2,000 | 283 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 5天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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IRLR3410TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 105mΩ@10A,10V N-Channel 100V 17A D-Pak |
暂无价格 | 2,000 | 当前型号 | ||||||||||
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STD6NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||
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AOD2922 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 100V 20V 7A 17W 140mΩ@10V |
￥1.1633
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283 | 对比 | ||||||||||
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STD6NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRLR3410TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 105mΩ@10A,10V N-Channel 100V 17A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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DMN10H099SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 34W(Tc) 80mΩ@3.3A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 100V 17A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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