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IRLR3114ZTRPBF  与  IPD90N06S4L03ATMA1  区别

型号 IRLR3114ZTRPBF IPD90N06S4L03ATMA1
唯样编号 A-IRLR3114ZTRPBF A-IPD90N06S4L03ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 40 V 140 W 40 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount -TO-252-3 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 150W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.9mΩ@42A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 13000pF @ 25V
栅极电压Vgs ±16V -
封装/外壳 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 130A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.5 毫欧 @ 90A,10V
Vgs(最大值) - ±16V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3810pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 90uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3810pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 56nC @ 4.5V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 90A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 60V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 56nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR3114ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.9mΩ@42A,10V N-Channel 40V 130A D-Pak

暂无价格 0 当前型号
STD86N3LH5 STMicro  数据手册 功率MOSFET

70W(Tc) 175°C(TJ) DPAK N-Channel 30V 22V 80A 5mΩ

暂无价格 0 对比
IPD90N06S4L03ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
STD86N3LH5 STMicro  数据手册 功率MOSFET

70W(Tc) 175°C(TJ) DPAK N-Channel 30V 22V 80A 5mΩ

暂无价格 0 对比
BUK9207-30B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9207-30B_SOT428 N-Channel 167W 185℃ 1.5V 30V 75A

¥15.3792 

阶梯数 价格
400: ¥15.3792
1,000: ¥10.6064
1,250: ¥8.9885
2,500: ¥7.3676
0 对比
IPD50N03S2-07 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N03S207ATMA1_30V 50A 7.3mΩ 20V 136W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比

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