IRLR3110ZPBF 与 SUD35N10-26P-GE3 区别
| 型号 | IRLR3110ZPBF | SUD35N10-26P-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLR3110ZPBF | A-SUD35N10-26P-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | SUD35N10-26P Series N-Channel 100 V 0.026 Ohms 83 W SMT Power Mosfet - TO-252-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 14mΩ@38A,10V | 26m Ohms@12A,10V |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 140W(Tc) | 8.3W(Ta),83W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±16V | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 4.5V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | D-Pak | TO-252-3,Dpak,SC-63 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 63A | 35A(Tc) |
| 系列 | HEXFET® | TrenchFET® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 100µA | 4.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3980pF @ 25V | 2000pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 48nC @ 4.5V | 47nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 7V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 100µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3980pF | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 48nC | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 80 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR3110ZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 14mΩ@38A,10V N-Channel 100V 63A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SUD35N10-26P-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 100V 35A(Tc) ±20V 8.3W(Ta),83W(Tc) 26m Ohms@12A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 |
暂无价格 | 80 | 对比 |
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SUD35N10-26P-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 100V 35A(Tc) ±20V 8.3W(Ta),83W(Tc) 26m Ohms@12A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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