IRLR3105TRPBF 与 RSD221N06TL 区别
| 型号 | IRLR3105TRPBF | RSD221N06TL | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLR3105TRPBF | A33-RSD221N06TL | ||||||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | N-Channel 55 V 37 mOhm 13.3 nC Surface Mount Logic Level Mosfet - DPAK | MOSFET N-CH 60V 22A CPT3 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率耗散(最大值) | - | 850mW(Ta),20W(Tc) | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 37mΩ@15A,10V | - | ||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 1500pF @ 10V | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±16V | - | ||||||||||||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 5V | - | ||||||||||||
| 封装/外壳 | D-Pak | CPT3 | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 25A | - | ||||||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 26 毫欧 @ 22A,10V | ||||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 5V,10V | - | ||||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4V,10V | ||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 710pF @ 25V | - | ||||||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 55V | - | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 57W(Tc) | - | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N 通道 | ||||||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 3V @ 1mA | ||||||||||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||||||||||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - | ||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 710pF @ 25V | - | ||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 20nC @ 5V | - | ||||||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 22A(Tc) | ||||||||||||
| 漏源电压(Vdss) | - | 60V | ||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 20nC @ 5V | - | ||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 30nC @ 10V | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 0 | 1,300 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR3105TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 57W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 37mΩ@15A,10V N-Channel 55V 25A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
|
STD20NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 70,000 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
STD30NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 42,500 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
STD20NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 7,500 | 对比 | ||||||||||||||||
|
RSD221N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥11.7097
|
6,068 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
RSD221N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥11.7097
|
1,300 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
