IRLR3105TRPBF 与 STD30NF06LT4 区别
| 型号 | IRLR3105TRPBF | STD30NF06LT4 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLR3105TRPBF | A3-STD30NF06LT4 |
| 制造商 | Infineon Technologies | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | N-Channel 55 V 37 mOhm 13.3 nC Surface Mount Logic Level Mosfet - DPAK | MOSFET N-CH 60V 35A DPAK |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 37mΩ@15A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 55V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 57W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±16V | - |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 5V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | D-Pak | TO-252-3 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 25A | - |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 710pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 20nC @ 5V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 5V,10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 710pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 20nC @ 5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 42,500 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 5 - 7天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRLR3105TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 57W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 37mΩ@15A,10V N-Channel 55V 25A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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STD20NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 70,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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STD30NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 42,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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STD20NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 7,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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RSD221N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥11.7097
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6,068 | 对比 | ||||||||||||||||
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RSD221N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥11.7097
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1,300 | 对比 |
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