首页 > 商品目录 > > > > IRLR2905ZTRPBF代替型号比较

IRLR2905ZTRPBF  与  IRLR2905ZPBF  区别

型号 IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZPBF
唯样编号 A-IRLR2905ZTRPBF A-IRLR2905ZPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N- Channel 55 V 110 W 23 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 13.5mΩ@36A,10V 13.5mΩ@36A,10V
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 110W(Tc) 110W(Tc)
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 5V -
栅极电压Vgs ±16V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-Pak D-Pak
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 60A 60A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1570pF @ 25V 1570pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 5V 35nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1570pF 1570pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC 35nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR2905ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 13.5mΩ@36A,10V N-Channel 55V 60A D-Pak

暂无价格 0 当前型号
STD30NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 10,000 对比
BUK7212-55B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7212-55B_SOT428 N-Channel 12mΩ@25A,10V 167W -55°C~185°C ±20V 55V 75A

暂无价格 2,299 对比
STD30NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IRLR2905ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 13.5mΩ@36A,10V N-Channel 55V 60A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRLR2905ZTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 55V 42A(Tc) ±16V 110W(Tc) 13.5mΩ@36A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消