IRLR120NTRPBF 与 AUIRLR120NTRL 区别
| 型号 | IRLR120NTRPBF | AUIRLR120NTRL |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLR120NTRPBF | A-AUIRLR120NTRL |
| 制造商 | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 100V 48 W 20 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 185mΩ@6A,10V | 185mΩ@6A,10V |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Pd-功率耗散(Max) | 48W(Tc) | 48W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±16V | ±16V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | D-Pak | DPAK |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 10A | 10A(Tc) |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 440pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 20nC @ 5V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4V,10V | 4V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 440pF @ 25V | 440pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 20nC @ 5V | 20nC @ 5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR120NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 48W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 185mΩ@6A,10V N-Channel 100V 10A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STD6NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 |
|
|
STD6NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRLR120NTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 48W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 185mΩ@6A,10V N-Channel 100V 10A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
AUIRLR120NTRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100V 10A(Tc) ±16V 48W(Tc) 185mΩ@6A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BUK7275-100A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 89W 175°C 3V 100V 21.7A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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