首页 > 商品目录 > > > > IRLR120NTRLPBF代替型号比较

IRLR120NTRLPBF  与  SIHLR120TR-GE3  区别

型号 IRLR120NTRLPBF SIHLR120TR-GE3
唯样编号 A-IRLR120NTRLPBF A3t-SIHLR120TR-GE3
制造商 Infineon Technologies Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 未分类
描述 Single N-Channel 100 V 48 W 20 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - DPAK Vishay Si N沟道 MOSFET SIHLR120TR-GE3, 7.7 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 42W
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 185mΩ@6A,10V 380 m0hms
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 1V
栅极电压Vgs ±16V -10 V、+10 V
封装/外壳 D-Pak 6.73*6.22*2.38mm
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 10A 7.7 A
长度 - 6.73mm
最低工作温度 - -55 °C
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
最高工作温度 - +150 °C
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 440pF @ 25V -
高度 - 2.38mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 21 ns
漏源极电压Vds 100V 490 pF@ 25 V
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 48W(Tc) -
晶体管配置 -
FET类型 N-Channel 增强
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 440pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 5V -
典型接通延迟时间 - 9.8 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR120NTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 48W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 185mΩ@6A,10V N-Channel 100V 10A D-Pak

暂无价格 0 当前型号
IRLR120NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 48W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 185mΩ@6A,10V N-Channel 100V 10A D-Pak

暂无价格 0 对比
AUIRLR120NTRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100V 10A(Tc) ±16V 48W(Tc) 185mΩ@6A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 车规

暂无价格 0 对比
SIHLR120-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

7.7A(Tc) N-Channel 270 mOhms @ 4.6A,5V 2.5W,42W TO-252 -55°C~150°C 100V

暂无价格 0 对比
SIHLR120TR-GE3 Vishay 未分类

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售