IRLR024NTRPBF 与 TK8S06K3L(T6L1,NQ) 区别
| 型号 | IRLR024NTRPBF | TK8S06K3L(T6L1,NQ) |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLR024NTRPBF | A33-TK8S06K3L(T6L1,NQ) |
| 制造商 | Infineon Technologies | Toshiba |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 55 V 45 W 15 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA | MOSFET N-CH 60V 8A DPAK |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 65mΩ@10A,10V | - |
| 产品状态 | - | 在售 |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 400 pF @ 10 V |
| Vgs(th) | - | 3V @ 1mA |
| 栅极电压Vgs | ±16V | - |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 10 nC @ 10 V |
| 封装/外壳 | D-Pak | DPAK+ |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | 175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 17A | 8A(Ta) |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4V,10V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 6V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 480pF @ 25V | - |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 55V | 60 V |
| Pd-功率耗散(Max) | 45W(Tc) | 25W(Tc) |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 54 毫欧 @ 4A,10V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 480pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15nC @ 5V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15nC @ 5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 2,000 | 4 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 21 - 28天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR024NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 45W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 65mΩ@10A,10V N-Channel 55V 17A D-Pak |
暂无价格 | 2,000 | 当前型号 |
|
STD20NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 70,000 | 对比 |
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STD20NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 7,500 | 对比 |
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STD12NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 5,000 | 对比 |
|
TK8S06K3L(T6L1,NQ) | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 25W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 8A(Ta) |
暂无价格 | 4 | 对比 |
|
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STD20NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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