IRLMS2002TRPBF 与 SI3460DDV-T1-GE3 区别
| 型号 | IRLMS2002TRPBF | SI3460DDV-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLMS2002TRPBF | A3t-SI3460DDV-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 20 V 2 W 15 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-6 | N-Channel 20 V 0.028 Ohm 2.7 W Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 30mΩ@6.5A,4.5V | 23mΩ |
| 漏源极电压Vds | 20V | 1V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta) | 1.7W(Ta),2.7W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±12V | ±8V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | Micro6™(SOT23-6) | TSOP-6 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 6.5A | 7.9A |
| 系列 | HEXFET® | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.2V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1310pF @ 15V | 666pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 22nC @ 5V | 18nC @ 8V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | 1.8V,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.2V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1310pF @ 15V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 22nC @ 5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRLMS2002TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 30mΩ@6.5A,4.5V N-Channel 20V 6.5A Micro6™(SOT23-6) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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DMG6402LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 6A 1.75W 30mΩ 30V 1.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMG6402LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 6A 1.75W 30mΩ 30V 1.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 1.7W(Ta),2.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 7.9A 23mΩ 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 1.7W(Ta),2.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 7.9A 23mΩ 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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