IRLMS2002TRPBF 与 DMG6402LVT-7 区别
| 型号 | IRLMS2002TRPBF | DMG6402LVT-7 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLMS2002TRPBF | A36-DMG6402LVT-7 | ||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | Diodes Incorporated | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | Single N-Channel 20 V 2 W 15 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-6 | Single N-Channel 30 V 42 mOhm 11.4 nC 1.75 W Silicon SMT Mosfet - TSOT-26 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 30mΩ@6.5A,4.5V | 30mΩ | ||||||
| 上升时间 | - | 6.2ns | ||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 30V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta) | 1.75W | ||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 11.4nC | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | 1.5V | ||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 13.9ns | ||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||
| 封装/外壳 | Micro6™(SOT23-6) | TSOT-26 | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | 6.5A | 6A | ||||||
| 系列 | HEXFET® | DMG6402 | ||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||
| 配置 | - | Single | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.2V @ 250µA | 2V @ 250µA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1310pF @ 15V | 498pF @ 15V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 22nC @ 5V | 11.4nC @ 10V | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | 4.5V,10V | ||||||
| 下降时间 | - | 2.8ns | ||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 3.4ns | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.2V @ 250µA | - | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1310pF @ 15V | - | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 22nC @ 5V | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 2,434 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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IRLMS2002TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 30mΩ@6.5A,4.5V N-Channel 20V 6.5A Micro6™(SOT23-6) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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DMG6402LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 6A 1.75W 30mΩ 30V 1.5V |
￥0.6655
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2,434 | 对比 | ||||||||
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DMG6402LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 6A 1.75W 30mΩ 30V 1.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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DMG6402LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 6A 1.75W 30mΩ 30V 1.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 1.7W(Ta),2.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 7.9A 23mΩ 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 1.7W(Ta),2.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 7.9A 23mΩ 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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