IRLMS1503TRPBF 与 RTQ020N03TR 区别
| 型号 | IRLMS1503TRPBF | RTQ020N03TR |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLMS1503TRPBF | A3-RTQ020N03TR |
| 制造商 | Infineon Technologies | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 30 V 0.2 Ohm 9.6 nC 1.7 W Generation V SMT Mosfet - MICRO-6 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 100mΩ@2.2A,10V | 125mΩ@2A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.7W(Ta) | 1.25W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 12V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | Micro6™(TSOP-6) | SOT-23-6,TSOT-23-6 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 3.2A | 2A(Ta) |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 210pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 9.6nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 2.5V,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | 1.5V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 210pF @ 25V | 135pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 9.6nC @ 10V | 3.3nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 200 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLMS1503TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.7W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 100mΩ@2.2A,10V N-Channel 30V 3.2A Micro6™(TSOP-6) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
|
RTQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1.25W(Ta) 125mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 N-Channel 30V 2A(Ta) |
￥2.4244
|
983 | 对比 | ||||||||||
|
|
RTQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1.25W(Ta) 125mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 N-Channel 30V 2A(Ta) |
暂无价格 | 200 | 对比 | ||||||||||
|
|
RTQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1.25W(Ta) 125mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 N-Channel 30V 2A(Ta) |
￥4.6253
|
100 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
