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IRLML6402TRPBF  与  NTR4101PT1G  区别

型号 IRLML6402TRPBF NTR4101PT1G
唯样编号 A-IRLML6402TRPBF A36-NTR4101PT1G
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 P-Channel 20 V 70 mOhm 0.73 W Surface Mount Trench Power MOSFET - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 1.3W 420mW(Ta)
漏源极电压Vds 20V 20V
栅极电压Vgs ±12V ±8V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.7A 3.2A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 633pF @ 10V 675pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 5V 8.5nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 1.8V,4.5V
导通电阻Rds(On) 65mΩ@3.7A,4.5V 85m Ohms@1.6A,4.5V
库存与单价
库存 0 59,071
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
70+ :  ¥0.738
200+ :  ¥0.5512
1,500+ :  ¥0.5005
3,000+ :  ¥0.468
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML6402TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.3W 65mΩ@3.7A,4.5V -55°C~150°C P-Channel 3.7A 20V SOT-23

暂无价格 0 当前型号
NTR4101PT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±8V 420mW(Ta) 85m Ohms@1.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 3.2A

¥0.738 

阶梯数 价格
70: ¥0.738
200: ¥0.5512
1,500: ¥0.5005
3,000: ¥0.468
59,071 对比
DMG2305UX-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 5A 1.4W 52mΩ@4.2A,4.5V 20V ±8V P-Channel

¥4.26 

阶梯数 价格
20: ¥4.26
100: ¥3.552
750: ¥3.276
1,500: ¥3.132
3,000: ¥3
6,000 对比
PMV50UPE,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT23 P-Channel 66mΩ@3.2A,4.5V 0.5W -55°C~150°C ±8V -20V -3.7A

¥3.9174 

阶梯数 价格
5: ¥3.9174
100: ¥2.9018
1,000: ¥2.1495
1,500: ¥1.7619
3,000: ¥1.5321
599 对比
NTR4101PT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±8V 420mW(Ta) 85m Ohms@1.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 3.2A

暂无价格 0 对比
DMG2305UX-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 5A 1.4W 52mΩ@4.2A,4.5V 20V ±8V P-Channel

暂无价格 0 对比

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