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IRLML6401TRPBF  与  IRLML6401TRPBF  区别

型号 IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF
唯样编号 A-IRLML6401TRPBF A36-IRLML6401TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 50mΩ@4.3A,4.5V 50mΩ@4.3A,4.5V
漏源极电压Vds 12V 12V
Pd-功率耗散(Max) 1.3W(Ta) 1.3W(Ta)
栅极电压Vgs ±8V ±8V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 5V 5V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.3A 4.3A
系列 HEXFET® HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 10V 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250µA 950mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 830pF @ 10V 830pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 5V 15nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V 1.8V,4.5V
库存与单价
库存 3,000 33,480
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
80+ :  ¥0.6875
200+ :  ¥0.5239
1,500+ :  ¥0.455
3,000+ :  ¥0.403
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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SOT-23

¥0.6875 

阶梯数 价格
80: ¥0.6875
200: ¥0.5239
1,500: ¥0.455
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1,500: ¥0.805
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6,000 对比
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¥0.6512 

阶梯数 价格
80: ¥0.6512
200: ¥0.4966
1,500: ¥0.4316
3,000: ¥0.3822
3,741 对比

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