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IRLML6401TRPBF  与  IRLR8726PBF  区别

型号 IRLML6401TRPBF IRLR8726PBF
唯样编号 A-IRLML6401TRPBF A-IRLR8726PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 N-Channel 30 V 75 W 15 nC Hexfet Power Mosfet Sruface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 50mΩ@4.3A,4.5V 5.8mΩ@25A,10V
漏源极电压Vds 12V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.3W(Ta) 75W(Tc)
栅极电压Vgs ±8V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 5V -
FET类型 P-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 D-Pak
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.3A 86A
系列 HEXFET® HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250µA 2.35V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 830pF @ 10V 2150pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 5V 23nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2150pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 23nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML6401TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±8V 1.3W(Ta) 50mΩ@4.3A,4.5V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 4.3A 12V SOT-23

暂无价格 0 当前型号
AO3401A AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 P-Channel -30V 12V -4A 1.4W 50mΩ@10V

¥0.5356 

阶梯数 价格
100: ¥0.5356
200: ¥0.3471
1,500: ¥0.3016
3,000: ¥0.2665
313,539 对比
AO3401A AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 P-Channel -30V 12V -4A 1.4W 50mΩ@10V

¥1.9986 

阶梯数 价格
1: ¥1.9986
100: ¥1.449
1,000: ¥1.0733
1,500: ¥0.805
3,000: ¥0.6279
6,045 对比
DMP2100U-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 800mW(Ta) ±10V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 20V 4.3A(Ta)

¥0.6534 

阶梯数 价格
80: ¥0.6534
200: ¥0.4979
1,500: ¥0.4329
3,000: ¥0.3835
3,175 对比
AO3401A AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 P-Channel -30V 12V -4A 1.4W 50mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IRLR8726PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 75W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.8mΩ@25A,10V N-Channel 30V 86A D-Pak

暂无价格 0 对比

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