IRLML6346TRPBF 与 DMG3402L-7 区别
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规格信息
型号	IRLML6346TRPBF	DMG3402L-7
唯样编号	A-IRLML6346TRPBF	A3-DMG3402L-7
制造商	Infineon Technologies	Diodes Incorporated
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	通用MOSFET
描述	N-Channel 30 V 80 mOhm 2.9 nC 1.3 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23	MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
数据表	IRLML6346TRPBF.pdf	DMG3402L-7.pdf DMG3402L.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	63mΩ@3.4A,4.5V	-
漏源极电压Vds	30V	30V
Pd-功率耗散(Max)	1.3W(Ta)	1.4W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs	-	52mΩ@4A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	-	464 pF @ 15 V
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	4.5V	-
栅极电压Vgs	±12V	±12V
FET类型	N-Channel	N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值)	-	11.7 nC @ 10 V
封装/外壳	Micro3™/SOT-23	SOT-23-3
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id	3.4A	4A(Ta)
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	24V	-
系列	HEXFET®	-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.1V @ 10µA	-
驱动电压	-	2.5V,10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	270pF @ 24V	-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	2.9nC @ 4.5V	-
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,4.5V	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.1V @ 10µA	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	270pF	-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	2.9nC	-
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
IRLML6346TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 63mΩ@3.4A,4.5V N-Channel 30V 3.4A Micro3™/SOT-23	暂无价格	当前型号
RTR025N03TL	ROHM Semiconductor	数据手册	功率MOSFET	12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A	暂无价格	对比
DMG3418L-7	Diodes Incorporated	数据手册	功率MOSFET	±12V 1.4W(Ta) 60mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 4A	暂无价格	对比
DMG3402L-7	Diodes Incorporated	数据手册	通用MOSFET	N-Channel 1.4W(Ta) ±12V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 4A(Ta)	暂无价格	对比
DMG3402L-7	Diodes Incorporated	数据手册	通用MOSFET	N-Channel 1.4W(Ta) ±12V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 4A(Ta)	暂无价格	对比
DMN3112S-7	Diodes Incorporated	数据手册	功率MOSFET	±20V 1.4W(Ta) 57mΩ@5.8A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 5.8A	暂无价格	对比