IRLML5203TRPBF 与 NTR4171PT1G 区别
| 型号 | IRLML5203TRPBF | NTR4171PT1G | ||||||||
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| 唯样编号 | A-IRLML5203TRPBF | A36-NTR4171PT1G | ||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | ON Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||
| 描述 | Single P-Channel 30 V 1.25 W 9.5 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 宽度 | - | 1.3 mm | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 98mΩ@3A,10V | 75mΩ@2.2A,10V | ||||||||
| 正向跨导-最小值 | - | 7 S | ||||||||
| 上升时间 | - | 16 ns | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±12V | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 3A | 2.2A(Ta) | ||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||
| 长度 | - | 2.9 mm | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 2.5V,10V | ||||||||
| 下降时间 | - | 22 ns | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | 1.4V @ 250µA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 510pF @ 25V | 720pF @ 15V | ||||||||
| 高度 | - | 0.94 mm | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.25W(Ta) | 480mW(Ta) | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 32 ns | ||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||
| 系列 | HEXFET® | NTR4171P | ||||||||
| 通道数量 | - | 1 Channel | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | 1.4V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 510pF @ 25V | 720pF @ 15V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 14nC @ 10V | 15.6nC @ 10V | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 9 ns | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 14nC @ 10V | 15.6nC @ 10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 11,172 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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IRLML5203TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.25W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 98mΩ@3A,10V P-Channel 30V 3A SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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DMG2307LQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
3.8A 1.36W 90mΩ 30V 3V SOT-23-3 -55°C~150°C 车规 |
￥0.5742
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26,283 | 对比 | ||||||||||
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AO3403 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -30V ±12V -2.6A 1.4W 115mΩ@-2.6A,-10V -55°C~150°C |
￥0.6006
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19,178 | 对比 | ||||||||||
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AO3421E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 P-Channel -30V 20V -3A 1.4W 95mΩ@10V |
￥0.6127
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14,028 | 对比 | ||||||||||
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NTR4171PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 480mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23 75mΩ@2.2A,10V P-Channel 30V 2.2A(Ta) |
￥0.7172
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11,172 | 对比 | ||||||||||
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DMG2307L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 90mΩ@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 3.8A |
￥0.5356
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6,505 | 对比 |
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