首页 > 商品目录 > > > > IRLML5203TRPBF代替型号比较

IRLML5203TRPBF  与  DMG2307LQ-7  区别

型号 IRLML5203TRPBF DMG2307LQ-7
唯样编号 A-IRLML5203TRPBF A3-DMG2307LQ-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 1.25 W 9.5 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3 P Channel 30 V 90 mO 1.36 W SOT-23 Automotive-grade SMT Power MosFet
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 98mΩ@3A,10V 90mΩ
上升时间 - 7.3ns
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 - 8.2nC
栅极电压Vgs ±20V 3V
封装/外壳 SOT-23 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 3A 3.8A
配置 - Single
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 13.4ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 510pF @ 25V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta) 1.36W
典型关闭延迟时间 - 22.4ns
FET类型 P-Channel -
系列 HEXFET® DMG2307L
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 510pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 4.8ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML5203TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.25W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 98mΩ@3A,10V P-Channel 30V 3A SOT-23

暂无价格 3,000 当前型号
DMP3098LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

车规

暂无价格 15,000 对比
AO3403 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 P-Channel -30V ±12V -2.6A 1.4W 115mΩ@-2.6A,-10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
DMG2307LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

3.8A 1.36W 90mΩ 30V 3V SOT-23-3 -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比
DMP3160L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 2.7A 1.08W 122mΩ 30V 1.3V

暂无价格 0 对比
DMG2307L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

±20V 90mΩ@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 3.8A

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售