IRLML5203TRPBF 与 DMG2307L-7 区别
| 型号 | IRLML5203TRPBF | DMG2307L-7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLML5203TRPBF | A-DMG2307L-7 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 30 V 1.25 W 9.5 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 0.76W |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 98mΩ@3A,10V | 90mΩ@2.5A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.25W(Ta) | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 3A | 3.8A |
| 系列 | HEXFET® | DMG |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 510pF @ 25V | 371.3pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 14nC @ 10V | 8.2nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 510pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 14nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 3,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLML5203TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.25W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 98mΩ@3A,10V P-Channel 30V 3A SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 |
|
DMP3098LQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
车规 |
暂无价格 | 15,000 | 对比 |
|
AO3403 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -30V ±12V -2.6A 1.4W 115mΩ@-2.6A,-10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
DMG2307LQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
3.8A 1.36W 90mΩ 30V 3V SOT-23-3 -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
DMP3160L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 2.7A 1.08W 122mΩ 30V 1.3V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
DMG2307L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 90mΩ@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 3.8A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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