IRLML2803TRPBF 与 FDV303N 区别
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规格信息
型号	IRLML2803TRPBF	FDV303N
唯样编号	A-IRLML2803TRPBF	A-FDV303N
制造商	Infineon Technologies	ON Semiconductor
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	小信号MOSFET
描述	Single N-Channel 30 V 540 W 3.3 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3	N-Channel 25 V 0.45 Ohm Surface Mount Digital FET - SOT-23-3
数据表	IRLML2803TRPBF.pdf	ON-FDV303N.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
功率	-	350mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	250mΩ@910mA,10V	450 毫欧 @ 500mA,4.5V
漏源极电压Vds	30V	25V
Pd-功率耗散(Max)	540mW(Ta)	350mW(Ta)
栅极电压Vgs	±20V	±8V
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V	-
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	Micro3™/SOT-23	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id	1.2A	680mA(Ta)
系列	HEXFET®	-
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V	-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA	1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	85pF @ 25V	50pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	5nC @ 10V	2.3nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V	2.7V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA	1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	85pF @ 25V	50pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	5nC @ 10V	2.3nC @ 4.5V
库存与单价
库存	0	57,000
工厂交货期	56 - 70天	3 - 5天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
IRLML2803TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 540mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 250mΩ@910mA,10V N-Channel 30V 1.2A Micro3™/SOT-23	暂无价格	0	当前型号
FDV303N	ON Semiconductor	数据手册	小信号MOSFET	±8V 350mW(Ta) 450m Ohms@500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 25V 0.68A 680mA(Ta) 450 毫欧 @ 500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3	暂无价格	57,000	对比
DMN3300U-7	Diodes Incorporated	数据手册	小信号MOSFET	±12V 700mW(Ta) 150mΩ@4.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 2A	暂无价格	0	对比
DMN3300U-7	Diodes Incorporated	数据手册	小信号MOSFET	±12V 700mW(Ta) 150mΩ@4.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 2A	暂无价格	0	对比
DMN100-7-F	Diodes Incorporated	数据手册	通用MOSFET	N-Channel 500mW(Ta) ±20V SC-59-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 1.1A(Ta)	暂无价格	0	对比
DMN100-7-F	Diodes Incorporated	数据手册	通用MOSFET	N-Channel 500mW(Ta) ±20V SC-59-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 1.1A(Ta)	暂无价格	0	对比