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IRLML2502TRPBF  与  DMN2058U-13  区别

型号 IRLML2502TRPBF DMN2058U-13
唯样编号 A-IRLML2502TRPBF A36-DMN2058U-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 1.25W(Ta) 1.13W
漏源极电压Vds 20V 20V
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 35mΩ@6A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 281 pF @ 10 V
栅极电压Vgs ±12V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 7.7 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
连续漏极电流Id 4.2A(Ta) 4.6A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA -
驱动电压 - 1.8V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
导通电阻Rds(On) 45mΩ@4.2A,4.5V -
库存与单价
库存 0 6,296
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
60+ :  ¥0.9636
100+ :  ¥0.6648
500+ :  ¥0.6048
5,000+ :  ¥0.5668
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML2502TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 20V 4.2A(Ta) ±12V 1.25W(Ta) 45mΩ@4.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55°C~150°C

¥0.6344 

阶梯数 价格
80: ¥0.6344
200: ¥0.4095
1,500: ¥0.3549
3,000: ¥0.3146
115,220 对比
AO3414 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 20V ±8V 3A 1.4W 50mΩ@4.2A,4.5V -55°C~150°C

¥0.6972 

阶梯数 价格
80: ¥0.6972
200: ¥0.52
1,500: ¥0.4732
3,000: ¥0.442
87,953 对比
DMN2075U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4.2A 800mW 25mΩ 20V 8V

暂无价格 36,000 对比
RTR040N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) TSMT 4A 1W 48mΩ 30V 12V N-Channel

¥0.9804 

阶梯数 价格
60: ¥0.9804
200: ¥0.7536
1,500: ¥0.6564
3,000: ¥0.6108
8,985 对比
DMN2058U-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 1.13W ±12V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 20V 4.6A(Ta)

¥0.9636 

阶梯数 价格
60: ¥0.9636
100: ¥0.6648
500: ¥0.6048
5,000: ¥0.5668
6,296 对比

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