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IRLML2402TRPBF  与  IRLML2402TRPBF  区别

型号 IRLML2402TRPBF IRLML2402TRPBF
唯样编号 A-IRLML2402TRPBF A33-IRLML2402TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 20 V 540 W 2.6 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3 Single N-Channel 20 V 540 W 2.6 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 250mΩ@930mA,4.5V 250mΩ@930mA,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 540mW(Ta) 540mW(Ta)
栅极电压Vgs ±12V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.2A 1.2A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250µA 700mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 15V 110pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.9nC @ 4.5V 3.9nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.7V,4.5V 2.7V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250µA 700mV @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 15V 110pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.9nC @ 4.5V 3.9nC @ 4.5V
库存与单价
库存 3,000 5,900
工厂交货期 3 - 5天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
110+ :  ¥1.4949
500+ :  ¥1.4949
1,000+ :  ¥1.4853
2,000+ :  ¥1.4853
4,000+ :  ¥1.4662
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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100: ¥0.5544
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1,500: ¥0.3679
3,000: ¥0.325
17,763 对比
IRLML2402TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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¥1.4949 

阶梯数 价格
110: ¥1.4949
500: ¥1.4949
1,000: ¥1.4853
2,000: ¥1.4853
4,000: ¥1.4662
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40: ¥1.628
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750: ¥1.0417
1,500: ¥0.9471
3,000: ¥0.869
5,018 对比
IRLML2402TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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