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IRLML2060TRPBF  与  2N7002-7-F  区别

型号 IRLML2060TRPBF 2N7002-7-F
唯样编号 A-IRLML2060TRPBF A36-2N7002-7-F
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 1.25 W 0.67 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 480mΩ@1.2A,10V 7.5Ω@50mA,5V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta) 370mW
栅极电压Vgs ±16V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 Micro3™/SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id 1.2A 115mA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 25µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 64pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.67nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 64pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) .67nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 182,537
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
260+ :  ¥0.1995
1,500+ :  ¥0.1248
3,000+ :  ¥0.096
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML2060TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 1.25W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 480mΩ@1.2A,10V N-Channel 60V 1.2A Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 当前型号
AO3460 AOS  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.7Ω@650mA,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 60V 0.65A SOT-23-3L 1.4W

暂无价格 0 对比
AO3460 AOS  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.7Ω@650mA,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 60V 0.65A SOT-23-3L 1.4W

暂无价格 0 对比
2N7002-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 N-Channel 370mW 7.5Ω@50mA,5V -55℃~150℃ ±20V 60V 115mA

¥0.2322 

阶梯数 价格
490: ¥0.2322
1,000: ¥0.172
1,500: ¥0.1433
3,000: ¥0.112
0 对比
2N7002-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 N-Channel 370mW 7.5Ω@50mA,5V -55℃~150℃ ±20V 60V 115mA

暂无价格 0 对比
ZXMN6A07FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 625mW(Ta) 250mΩ@1.8A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 1.2A

暂无价格 0 对比

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