IRLML0100TRPBF 与 DMN10H220L-7 区别
| 型号 | IRLML0100TRPBF | DMN10H220L-7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLML0100TRPBF | A3-DMN10H220L-7 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single HexFet 100 V 1.3 W 2.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - MICRO-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 220mΩ@1.6A,10V | 220mΩ@1.6A,10V |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.3W | 1.3W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | ±16V | ±16V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 1.6A | 1.6A |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 401pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 8.3nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 3,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRLML0100TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23 N-Channel 220mΩ@1.6A,10V 1.3W -55°C~150°C ±16V 100V 1.6A |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 |
|
PMV213SN,215 | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT23 N-Channel 250mΩ@500mA,10V 280mW -55°C~150°C ±30V 100V 1.9A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMN10H220L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 1.3W(Ta) 220mΩ@1.6A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 100V 1.6A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
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DMN10H220L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 1.3W(Ta) 220mΩ@1.6A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 100V 1.6A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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