IRLML0060TRPBF 与 DMN6075S-7 区别
| 型号 | IRLML0060TRPBF | DMN6075S-7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLML0060TRPBF | A3-DMN6075S-7 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 60 V 116 mOhm 2.5 nC 1.25 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 92mΩ@2.7A,10V | 85mΩ@3.2A,10V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.25W(Ta) | 800mW(Ta) |
| 栅极电压Vgs | ±16V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 2.7A | 2.5A |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 25µA | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 290pF @ 25V | 606pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.5nC @ 4.5V | 12.3nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 25µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 290pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.5nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRLML0060TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 1.25W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 92mΩ@2.7A,10V N-Channel 60V 2.7A SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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DMN6075S-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 800mW(Ta) 85mΩ@3.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 2.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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DMN6075S-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 800mW(Ta) 85mΩ@3.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 2.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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SI2308BDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 2.3A(Tc) ±20V 1.09W(Ta),1.66W(Tc) 156m Ohms@1.9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 60V 1.9A 156mΩ |
暂无价格 | 33,000 | 对比 | ||||
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SI2308BDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 2.3A(Tc) ±20V 1.09W(Ta),1.66W(Tc) 156m Ohms@1.9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 60V 1.9A 156mΩ |
￥0.8
|
240 | 对比 | ||||
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SI2308BDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 2.3A(Tc) ±20V 1.09W(Ta),1.66W(Tc) 156m Ohms@1.9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 60V 1.9A 156mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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