IRLML0060TRPBF 与 SI2308BDS-T1-GE3 区别
| 型号 | IRLML0060TRPBF | SI2308BDS-T1-GE3 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLML0060TRPBF | A-SI2308BDS-T1-GE3 | ||
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | Single N-Channel 60 V 116 mOhm 2.5 nC 1.25 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23 | MOSFET | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 92mΩ@2.7A,10V | 156mΩ | ||
| 零件号别名 | - | SI2308BDS-GE3 | ||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.25W(Ta) | 1.09W(Ta),1.66W(Tc) | ||
| 栅极电压Vgs | ±16V | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 2.7A | 1.9A | ||
| 系列 | HEXFET® | SI | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 25µA | 3V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 290pF @ 25V | 190pF @ 30V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.5nC @ 4.5V | 6.8nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 25µA | - | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 290pF @ 25V | - | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.5nC @ 4.5V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 240 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRLML0060TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 1.25W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 92mΩ@2.7A,10V N-Channel 60V 2.7A SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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DMN6075S-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 800mW(Ta) 85mΩ@3.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 2.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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DMN6075S-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 800mW(Ta) 85mΩ@3.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 2.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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SI2308BDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 2.3A(Tc) ±20V 1.09W(Ta),1.66W(Tc) 156m Ohms@1.9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 60V 1.9A 156mΩ |
暂无价格 | 33,000 | 对比 | ||||
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SI2308BDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 2.3A(Tc) ±20V 1.09W(Ta),1.66W(Tc) 156m Ohms@1.9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 60V 1.9A 156mΩ |
￥0.8
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240 | 对比 | ||||
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SI2308BDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 2.3A(Tc) ±20V 1.09W(Ta),1.66W(Tc) 156m Ohms@1.9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 60V 1.9A 156mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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