IRLML0030TRPBF 与 SI2338DS-T1-GE3 区别
| 型号 | IRLML0030TRPBF | SI2338DS-T1-GE3 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLML0030TRPBF | A-SI2338DS-T1-GE3 | ||
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | N-Channel 30 V 28 mOhm 13 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 27mΩ@5.2A,10V | 23mΩ | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.3W(Ta) | 1.3W(Ta),2.5W(Tc) | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | Micro3™/SOT-23 | SOT-23-3 | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 5.3A | 6A | ||
| 系列 | HEXFET® | TrenchFET® | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.3V @ 25µA | 2.5V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 382pF @ 15V | 424pF @ 15V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.6nC @ 4.5V | 13nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.3V @ 25µA | - | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 382pF @ 15V | - | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.6nC @ 4.5V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 3,000 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRLML0030TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 27mΩ@5.2A,10V N-Channel 30V 5.3A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 | ||||
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SI2338DS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6A(Tc) ±20V 1.3W(Ta),2.5W(Tc) 28m Ohms@5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3 N-Channel 30V 6A 23mΩ |
￥1.3941
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0 | 对比 | ||||
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SI2338DS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6A(Tc) ±20V 1.3W(Ta),2.5W(Tc) 28m Ohms@5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3 N-Channel 30V 6A 23mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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