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IRLL2705TRPBF  与  BSP603S2L  区别

型号 IRLL2705TRPBF BSP603S2L
唯样编号 A-IRLL2705TRPBF A-BSP603S2L
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 1.8W
宽度 - 3.5mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ@3.8A,10V 33mΩ
产品特性 - 车规
栅极电压Vgs ±16V 20V
封装/外壳 SOT-223 -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C
连续漏极电流Id 5.2A 5.2A
配置 - SingleDualDrain
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
下降时间 - 16ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 870pF @ 25V -
高度 - 1.6mm
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) -
典型关闭延迟时间 - 28ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 870pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 48nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 10.8ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 48nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLL2705TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 40mΩ@3.8A,10V N-Channel 55V 5.2A SOT-223

暂无价格 0 当前型号
DMN6068SE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A

¥1.089 

阶梯数 价格
50: ¥1.089
100: ¥0.8382
1,000: ¥0.6974
2,000: ¥0.6336
4,000: ¥0.5874
11,195 对比
DMN6068SE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A

暂无价格 0 对比
DMN6068SE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A

暂无价格 0 对比
BSP603S2L Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSP603S2LHUMA1_55V 5.2A 33mΩ 20V N-Channel -55°C ~ 150°C 车规

暂无价格 0 对比

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