IRLL024NTRPBF 与 DMN6068SE-13 区别
| 型号 | IRLL024NTRPBF | DMN6068SE-13 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLL024NTRPBF | A-DMN6068SE-13 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 65mΩ@3.1A,10V | 68mΩ@12A,10V |
| 漏源极电压Vds | 55V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.1W | 2W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | ±16V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-223 | SOT-223 |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 3.1A | 5.6A |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 502pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 10.3nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLL024NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
65mΩ@3.1A,10V ±16V SOT-223 -55°C~150°C 3.1A 55V 2.1W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
暂无价格 | 4,000 | 对比 |
|
|
STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
DMN6068SE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
DMN6068SE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
AUIRLL024NTR | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 55V 3.1A(Ta) ±16V 1W(Ta) 65mΩ@3.1A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT223 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
