IRLL024NTRPBF 与 AUIRLL024NTR 区别
| 型号 | IRLL024NTRPBF | AUIRLL024NTR |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLL024NTRPBF | A-AUIRLL024NTR |
| 制造商 | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 65mΩ@3.1A,10V | 65mΩ@3.1A,10V |
| 漏源极电压Vds | 55V | 55V |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.1W | 1W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | ±16V | ±16V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-223 | SOT223 |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 3.1A | 3.1A(Ta) |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 4V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 2V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 510pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 15.6nC @ 5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLL024NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
65mΩ@3.1A,10V ±16V SOT-223 -55°C~150°C 3.1A 55V 2.1W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
暂无价格 | 4,000 | 对比 |
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STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMN6068SE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
DMN6068SE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AUIRLL024NTR | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 55V 3.1A(Ta) ±16V 1W(Ta) 65mΩ@3.1A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT223 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |