IRLHS6242TRPBF 与 SIA448DJ-T1-GE3 区别
| 型号 | IRLHS6242TRPBF | SIA448DJ-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLHS6242TRPBF | A3t-SIA448DJ-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 11.7mΩ@8.5A,4.5V | 15 mOhms @ 12.4A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.98W(Ta),9.6W(Tc) | 3.5W(Ta),19.2W(Tc) |
| Vgs(th) | - | 1V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±12V | - |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 4.5V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | 6-PQFN(2x2) | PowerPAK® SC-70-6 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 10A | 12A(Tc) |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 10V | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.1V @ 10µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1110pF @ 10V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 14nC @ 4.5V | - |
| Vgs(最大值) | - | ±8V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.1V @ 10µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1110pF @ 10V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 14nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLHS6242TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.98W(Ta),9.6W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 11.7mΩ@8.5A,4.5V N-Channel 20V 10A 6-PQFN(2x2) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SIA448DJ-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
12A(Tc) N-Channel 15 mOhms @ 12.4A,4.5V 3.5W(Ta),19.2W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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