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IRLH5030TRPBF  与  AON6448  区别

型号 IRLH5030TRPBF AON6448
唯样编号 A-IRLH5030TRPBF A-AON6448
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 3.6 W 44 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 120
Rds On(Max)@Id,Vgs 9mΩ@50A,10V 9.6mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 12mΩ
Qgd(nC) - 14
栅极电压Vgs ±16V 25V
Td(on)(ns) - 18
封装/外壳 8-PQFN(5x6) DFN 5x6
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 13A 65A
Ciss(pF) - 2600
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5185pF @ 50V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 17
Td(off)(ns) - 24.5
漏源极电压Vds 100V 80V
Pd-功率耗散(Max) 3.6W(Ta) 83W
Qrr(nC) - 65
VGS(th) - 3.7
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5185pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 94nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 94nC @ 10V -
Coss(pF) - 340
Qg*(nC) - 44*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLH5030TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.6W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 9mΩ@50A,10V N-Channel 100V 13A 8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 当前型号
AONS66923 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 100V 20V 47A 48W 10.8mΩ@10V

¥4.818 

阶梯数 价格
20: ¥4.818
100: ¥4.026
750: ¥3.729
1,500: ¥3.542
2,195 对比
AONS66923 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 100V 20V 47A 48W 10.8mΩ@10V

¥7.641 

阶梯数 价格
1: ¥7.641
100: ¥6.0816
1,000: ¥4.3824
1,500: ¥3.7722
3,000: ¥2.98
1,112 对比
AON6448 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 80V 25V 65A 83W 9.6mΩ@10V

暂无价格 0 对比
BSC077N12NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC077N12NS3GATMA1_120V 98A 7.7mΩ@50A,10V ±20V 139W -55°C~150°C 8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
STL100N10F7 STMicro  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 0 对比

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