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IRLB8748PBF  与  IRL2203NPBF  区别

型号 IRLB8748PBF IRL2203NPBF
唯样编号 A-IRLB8748PBF A-IRL2203NPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 75 W 15 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.8mΩ@40A,10V 10mΩ
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 75W(Tc) 130W
Qg-栅极电荷 - 40nC
栅极电压Vgs ±20V 16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 92A 100A
系列 HEXFET® HEXFET®
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 50µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2139pF @ 15V 3290pF @ 25V
长度 - 10mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V 60nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 50µA 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2139pF @ 15V 3290pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V 60nC @ 4.5V
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLB8748PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 75W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.8mΩ@40A,10V N-Channel 30V 92A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
IRL3803VPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.5mΩ@71A,10V N-Channel 30V 140A TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRL2203NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 30V 100A 10mΩ 16V 130W N-Channel

暂无价格 0 对比
IRL3803PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@71A,10V N-Channel 30V 140A TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRF3709ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.3mΩ@21A,10V N-Channel 30V 87A TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRL8113PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@21A,10V N-Channel 30V 105A TO-220AB

暂无价格 0 对比

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