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IRLB8721PBF  与  IRF3708  区别

型号 IRLB8721PBF IRF3708
唯样编号 A-IRLB8721PBF A-IRF3708
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.7mΩ@31A,10V 12mΩ@15A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 65W(Tc) 87W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 62A 62A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1077pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 2.8V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1077pF @ 15V 2417pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V 24nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLB8721PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 65W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8.7mΩ@31A,10V N-Channel 30V 62A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
AOT430 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 75V ±25V 80A 268W 11.5mΩ@30A,10V -55°C~175°

¥6.7347 

阶梯数 价格
1: ¥6.7347
100: ¥4.8529
500: ¥4.1772
1,000: ¥3.3
986 对比
IRF3709PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.1W(Ta),120W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 9mΩ@15A,10V N-Channel 30V 90A TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRF3708 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 62A(Tc) ±12V 87W(Tc) 12mΩ@15A,10V -55°C~175°C(TJ) TO220

暂无价格 0 对比
IRL2703PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 45W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 40mΩ@14A,10V N-Channel 30V 24A TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRF3709 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 90A(Tc) ±20V 3.1W(Ta),120W(Tc) 9mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) TO220

暂无价格 0 对比

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