IRLB8314PBF 与 PSMN2R0-30PL,127 区别
| 型号 | IRLB8314PBF | PSMN2R0-30PL,127 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLB8314PBF | A-PSMN2R0-30PL,127 | ||
| 制造商 | Infineon Technologies | Nexperia | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | N chan, 30V, 100A, 2.1 mOhms, TO-220 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 125W(Tc) | 211W | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||
| 输出电容 | - | 1410pF | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 1.7V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | TO-220AB | SOT78 | ||
| 工作温度 | -55°C~175°C | 175°C | ||
| 连续漏极电流Id | 171A | 100A | ||
| 系列 | HEXFET® | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.2V @ 100µA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5050pF @ 15V | - | ||
| 输入电容 | - | 6810pF | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 60nC @ 4.5V | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||
| 导通电阻Rds(On) | 2.4mΩ@68A,10V | 2.8mΩ@4.5V,2.1mΩ@10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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IRLB8314PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 125W(Tc) 2.4mΩ@68A,10V -55°C~175°C TO-220AB N-Channel 30V 171A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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PSMN2R0-30PL,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 2.8mΩ@4.5V,2.1mΩ@10V 211W 175°C 1.7V 30V 100A |
￥16.5328
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0 | 对比 | ||||||
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PSMN2R0-30PL,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 2.8mΩ@4.5V,2.1mΩ@10V 211W 175°C 1.7V 30V 100A |
￥9.8584
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0 | 对比 | ||||||
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PSMN2R7-30PL,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 3.6mΩ@4.5V,2.7mΩ@10V 170W 175°C 1.7V 30V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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