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IRLB4132PBF  与  PSMN2R7-30PL,127  区别

型号 IRLB4132PBF PSMN2R7-30PL,127
唯样编号 A-IRLB4132PBF A-PSMN2R7-30PL,127
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 PSMN2R Series 30 V 2.7 mOhm Logic Level 170 N-Channel Mosfet - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.4mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.5mΩ -
上升时间 92ns -
Qg-栅极电荷 54nC -
栅极电压Vgs 20V 1.7V
正向跨导 - 最小值 190S -
封装/外壳 - SOT78
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 150A 100A
配置 Single -
长度 10mm -
输入电容 - 3954pF
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 36ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5110pF @ 15V -
高度 15.65mm -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 140W 170W
输出电容 - 822pF
典型关闭延迟时间 25ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 1Channel -
Rds On(max)@Id,Vgs - 3.6mΩ@4.5V,2.7mΩ@10V
典型接通延迟时间 23ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 54nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥8.7627
50+ :  ¥7.1825
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLB4132PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V -55°C~175°C(TJ) 150A 2.5mΩ 20V 140W N-Channel

暂无价格 0 当前型号
PSMN2R7-30PL,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R7-30PL_SOT78 N-Channel 170W 175℃ 1.7V 30V 100A

¥8.7627 

阶梯数 价格
20: ¥8.7627
50: ¥7.1825
0 对比
AOT210L AOS 功率MOSFET

20A(Ta),105A(Tc) N-Channel ±20V 2.9 mΩ @ 20A,10V TO-220 1.9W(Ta),176W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比

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