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IRLB4030PBF  与  STP150N10F7  区别

型号 IRLB4030PBF STP150N10F7
唯样编号 A-IRLB4030PBF A36-STP150N10F7
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 4.5 mOhm 87 nC 370 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 110A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.3mΩ@110A,10V -
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 370W(Tc) -
栅极电压Vgs ±16V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 180A -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 11360pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11360pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 75
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
6+ :  ¥8.349
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLB4030PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.3mΩ@110A,10V N-Channel 100V 180A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
STP150N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 3,000 对比
AOT292L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 100V 20V 105A 300W 4.5mΩ@10V

¥12.2449 

阶梯数 价格
1: ¥12.2449
100: ¥8.8235
500: ¥7.5949
1,000: ¥6
1,000 对比
AOT284L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 80V ±20V 105A 250W 4.5mΩ@20A,10V -55°C~175°C

¥11.4286 

阶梯数 价格
1: ¥11.4286
100: ¥8.2353
500: ¥7.0886
1,000: ¥5.6
196 对比
STP150N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥8.349 

阶梯数 价格
6: ¥8.349
75 对比
IRL2910 Infineon  数据手册 功率MOSFET

26mΩ 100V TO-220 N-Channel 16V 48A

暂无价格 0 对比

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