IRLB4030PBF 与 STP180N10F3 区别
| 型号 | IRLB4030PBF | STP180N10F3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLB4030PBF | A3-STP180N10F3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 100 V 4.5 mOhm 87 nC 370 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 120A TO220 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.3mΩ@110A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 100V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 370W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±16V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | TO-220AB | TO-220-3 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 180A | - |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 11360pF @ 50V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 130nC @ 4.5V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 11360pF @ 50V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 130nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 1,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 5 - 7天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLB4030PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.3mΩ@110A,10V N-Channel 100V 180A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
|
AOT292L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 100V 20V 105A 300W 4.5mΩ@10V |
￥12.2449
|
1,000 | 对比 | ||||||||||
|
STP180N10F3 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||||||||
|
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AOT284L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 80V ±20V 105A 250W 4.5mΩ@20A,10V -55°C~175°C |
￥11.4286
|
196 | 对比 | ||||||||||
|
|
STP150N10F7 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
￥6.897
|
41 | 对比 | ||||||||||
|
|
STP150N10F7 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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