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IRLB3813PBF  与  PSMN4R3-30PL,127  区别

型号 IRLB3813PBF PSMN4R3-30PL,127
唯样编号 A-IRLB3813PBF A-PSMN4R3-30PL,127
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.95mΩ@60A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 230W(Tc) 103W
输出电容 - 500pF
栅极电压Vgs ±20V 1.7V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB SOT78
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 260A 100A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 8420pF @ 15V -
输入电容 - 2400pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 86nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 4.3mΩ@10V,6.2mΩ@4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8420pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 86nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥6.8806
50+ :  ¥5.6398
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLB3813PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 1.95mΩ@60A,10V N-Channel 30V 260A TO-220AB

暂无价格 1,000 当前型号
PSMN2R0-30PL,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R0-30PL_SOT78 N-Channel 211W 175℃ 1.7V 30V 100A

¥11.5847 

阶梯数 价格
20: ¥11.5847
50: ¥9.6539
0 对比
PSMN4R3-30PL,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R3-30PL_SOT78 N-Channel 103W 175℃ 1.7V 30V 100A

¥6.8806 

阶梯数 价格
20: ¥6.8806
50: ¥5.6398
0 对比

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