首页 > 商品目录 > > > > IRLB3036PBF代替型号比较

IRLB3036PBF  与  IRL3705NPBF  区别

型号 IRLB3036PBF IRL3705NPBF
唯样编号 A-IRLB3036PBF A-IRL3705NPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 380 W 91 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB Single N-Channel 55 V 170 W 65.3 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.4mΩ@165A,10V 10mΩ@46A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 380W(Tc) 170W(Tc)
栅极电压Vgs ±16V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 270A 89A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 11210pF @ 50V 3600pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 4.5V 98nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11210pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLB3036PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 380W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.4mΩ@165A,10V N-Channel 60V 270A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
PSMN7R6-60PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN7R6-60PS_SOT78 N-Channel 149W 175℃ 3V 60V 92A

¥8.6807 

阶梯数 价格
20: ¥8.6807
50: ¥7.1153
0 对比
IRL2505 Infineon  数据手册 功率MOSFET

8mΩ 55V TO-220 N-Channel 16V 104A

暂无价格 0 对比
IRL2505PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8mΩ@54A,10V N-Channel 55V 104A TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRL3705NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 170W(Tc) 10mΩ@46A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 89A 55V TO-220AB

暂无价格 0 对比
IPP120N06S4H1AKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售