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IRL7833STRLPBF  与  STB100NF04T4  区别

型号 IRL7833STRLPBF STB100NF04T4
唯样编号 A-IRL7833STRLPBF A-STB100NF04T4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 140 W 32 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.8mΩ@38A,10V -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 D2PAK TO-263-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 150A -
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 15V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4170pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 47nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4170pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 47nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRL7833STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.8mΩ@38A,10V N-Channel 30V 150A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB100NF04T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 2,000 对比
STB100NF04T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

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PSMN3R4-30BL,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R4-30BL_SOT404 N-Channel 114W 175℃ 1.7V 30V 100A

¥9.0105 

阶梯数 价格
170: ¥9.0105
400: ¥6.9849
800: ¥5.5632
0 对比
PSMN4R3-30BL,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R3-30BL_SOT404 N-Channel 103W 175℃ 1.7V 30V 100A

¥6.7304 

阶梯数 价格
200: ¥6.7304
400: ¥5.5167
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PSMN4R3-30BL,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R3-30BL_SOT404 N-Channel 103W 175℃ 1.7V 30V 100A

暂无价格 0 对比

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