首页 > 商品目录 > > > > IRL7833PBF代替型号比较

IRL7833PBF  与  IRL2203NPBF  区别

型号 IRL7833PBF IRL2203NPBF
唯样编号 A-IRL7833PBF A-IRL2203NPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.8mΩ@38A,10V 10mΩ
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 130W
Qg-栅极电荷 - 40nC
栅极电压Vgs ±20V 16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 150A 100A
系列 HEXFET® HEXFET®
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4170pF @ 15V 3290pF @ 25V
长度 - 10mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 47nC @ 4.5V 60nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4170pF @ 15V 3290pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 47nC @ 4.5V 60nC @ 4.5V
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRL7833PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.8mΩ@38A,10V N-Channel 30V 150A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
STP105N3LL STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 409,500 对比
STP105N3LL STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥2.662 

阶梯数 价格
20: ¥2.662
50: ¥2.046
414 对比
STP105N3LL STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
PSMN2R0-30PL,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R0-30PL_SOT78 N-Channel 211W 175°C 1.7V 30V 100A

暂无价格 0 对比
IRL2203NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 30V 100A 10mΩ 16V 130W N-Channel

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售