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IRL7833PBF  与  IPP034N03LGXKSA1  区别

型号 IRL7833PBF IPP034N03LGXKSA1
唯样编号 A-IRL7833PBF A-IPP034N03LGXKSA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 94W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.8mΩ@38A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 5300pF @ 15V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 150A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 51nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.4 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4170pF @ 15V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 250uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4170pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 47nC @ 4.5V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 47nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRL7833PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.8mΩ@38A,10V N-Channel 30V 150A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
STP105N3LL STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
PSMN4R3-30PL,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R3-30PL_SOT78 N-Channel 103W 175℃ 1.7V 30V 100A

¥6.8806 

阶梯数 价格
20: ¥6.8806
50: ¥5.6398
0 对比
IRL3803PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@71A,10V N-Channel 30V 140A TO-220AB

暂无价格 0 对比
STP105N3LL STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
IPP034N03LGXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP034N03L G_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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