IRL6372TRPBF 与 DMN3015LSD-13 区别
| 型号 | IRL6372TRPBF | DMN3015LSD-13 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRL6372TRPBF | A36-DMN3015LSD-13 | ||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | Diodes Incorporated | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | Dual N-Channel 30 V 23 mOhm 11 nC 2 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 17.9mΩ@8.1A,4.5V | 15mΩ@12A,10V | ||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 1.2W | ||||||
| FET类型 | N-Channel | 2N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | 8-SO | SO | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | 8.1A | 8.4A | ||||||
| 系列 | HEXFET® | DMN3015 | ||||||
| 通道数量 | - | 2Channel | ||||||
| 配置 | - | Dual | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.1V @ 10µA | 2.5V @ 250µA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1020pF @ 25V | 1415pF @ 15V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 11nC @ 4.5V | 25.1nC @ 10V | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.1V @ 10µA | - | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1020pF @ 25V | - | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 11nC @ 4.5V | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 1,939 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRL6372TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 17.9mΩ@8.1A,4.5V 2W N-Channel 30V 8.1A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
|
AO4854 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@10V |
￥1.375
|
2,690 | 对比 | ||||||||||
|
DMG4822SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A 1.42W 20mΩ 30V 25V SO-8 -55°C~150°C N-Channel |
￥1.991
|
2,500 | 对比 | ||||||||||
|
|
AO4842 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 7.7A 2W 21mΩ@10V |
￥1.0076
|
2,263 | 对比 | ||||||||||
|
DMN3015LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
15mΩ@12A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO 30V 8.4A 2N-Channel |
￥1.804
|
1,939 | 对比 | ||||||||||
|
|
AO4822A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
￥1.991
|
1,822 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
