IRL6342TRPBF 与 RSS090N03FRATB 区别
| 型号 | IRL6342TRPBF | RSS090N03FRATB |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRL6342TRPBF | A-RSS090N03FRATB |
| 制造商 | Infineon Technologies | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 30 V 2.5 W 11 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 14.6mΩ@9.9A,4.5V | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | 1.4W(Ta) |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 16mOhms@9A,10V |
| 栅极电压Vgs | ±12V | 2.5V@1mA |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 4.5V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SOIC |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 9.9A | 9A(Ta) |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.1V @ 10µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1025pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 11nC @ 4.5V | - |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 栅极电荷Qg | - | 15nC@5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.1V @ 10µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1025pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 11nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRL6342TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 14.6mΩ@9.9A,4.5V N-Channel 30V 9.9A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 6,000 | 对比 |
|
RSS090N03FRATB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
9A(Ta) N-Channel 2.5V@1mA 1.4W(Ta) 8-SOIC -55°C~150°C(TJ) 30V 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
AO4406AL | AOS | 功率MOSFET |
13A(Tc) N-Channel ±20V 11.5 mΩ @ 12A,10V 8-SOIC 3.1W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
|
SI4156DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
24A(Tc) N-Channel 6 mOhms @ 15.7A,10V 2.5W(Ta),6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
SI4156DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
24A(Tc) N-Channel 6 mOhms @ 15.7A,10V 2.5W(Ta),6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
