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IRL3803STRLPBF  与  IPB04N03LAT  区别

型号 IRL3803STRLPBF IPB04N03LAT
唯样编号 A-IRL3803STRLPBF A-IPB04N03LAT
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 107W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 6mΩ@71A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3877pF @ 15V
栅极电压Vgs ±16V -
封装/外壳 D2PAK TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 140A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 32nC @ 5V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.9 毫欧 @ 55A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5000pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),200W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 60uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5000pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 4.5V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRL3803STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@71A,10V N-Channel 30V 140A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
IPB065N03L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB065N03LGATMA1_±20V 56W(Tc) 6.5mΩ@30A,10V -55°C~175°C(TJ) PG-TO263-3 N-Channel 30V 50A(Tc)

暂无价格 0 对比
IPB055N03L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB055N03LGATMA1_30V 50A 5.5mΩ 20V 68W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IPB042N03L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB042N03LGATMA1_30V 70A 4.2mΩ 20V 79W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IPB04N03LAT Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRL3803STRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 140A(Tc) ±16V 3.8W(Ta),200W(Tc) 6mΩ@71A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK

暂无价格 0 对比

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