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IRL3713STRLPBF  与  SUM90N03-2M2P-E3  区别

型号 IRL3713STRLPBF SUM90N03-2M2P-E3
唯样编号 A-IRL3713STRLPBF A3t-SUM90N03-2M2P-E3
制造商 Infineon Technologies Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 IRL3713 Series N-Channel 30 V 3 mO 330 W HEXFET Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 Single N-Channel 30 V 0.0022 O 82 nC Surface Mount Power Mosfet - TO-263 (D2PAK)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 330W(Tc) 3.75W(Ta),250W(Tc)
漏源极电压Vds 30V 30V
Vgs(th) - 2.5V @ 250uA
栅极电压Vgs ±20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK TO-263AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 260A 90A(Tc)
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 15V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5890pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 4.5V -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5890pF @ 15V -
导通电阻Rds(On) 3mΩ@38A,10V 2.2 mOhms @ 32A,10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRL3713STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 330W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@38A,10V N-Channel 30V 260A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
SUM90N03-2M2P-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

90A(Tc) N-Channel 2.2 mOhms @ 32A,10V 3.75W(Ta),250W(Tc) TO-263AB -55°C~175°C 30V

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