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IRL3713PBF  与  SUP90N03-03-E3  区别

型号 IRL3713PBF SUP90N03-03-E3
唯样编号 A-IRL3713PBF A3t-SUP90N03-03-E3
制造商 Infineon Technologies Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 3 mOhm Flange Mount HEXFET® Power Mosfet - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3mΩ@38A,10V 2.9 mOhms @ 28.8A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 330W(Tc) 3.75W(Ta),250W(Tc)
Vgs(th) - 2.5V @ 250uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 260A 90A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5890pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 4.5V -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5890pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRL3713PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 330W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@38A,10V N-Channel 30V 260A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
SUP90N03-03-E3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

90A(Tc) N-Channel 2.9 mOhms @ 28.8A,10V 3.75W(Ta),250W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 30V

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