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IRL3705ZSTRLPBF  与  STB75NF75LT4  区别

型号 IRL3705ZSTRLPBF STB75NF75LT4
唯样编号 A-IRL3705ZSTRLPBF A3-STB75NF75LT4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 12 mOhm 60 nC 130 W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3 MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@52A,10V -
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 130W(Tc) -
栅极电压Vgs ±16V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 5V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 D2PAK TO-263-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 86A -
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2880pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2880pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 5,000
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRL3705ZSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 130W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8mΩ@52A,10V N-Channel 55V 86A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 5,000 对比
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
BUK7611-55B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7611-55B_SOT404 N-Channel 157W 175℃ 3V 55V 75A

¥13.6013 

阶梯数 价格
180: ¥13.6013
400: ¥10.6261
800: ¥8.7099
0 对比
IPB80N06S4L07ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPB090N06N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB090N06N3 G_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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