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IRL3705ZSTRLPBF  与  PSMN008-75B,118  区别

型号 IRL3705ZSTRLPBF PSMN008-75B,118
唯样编号 A-IRL3705ZSTRLPBF A-PSMN008-75B,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 12 mOhm 60 nC 130 W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3 MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@52A,10V -
漏源极电压Vds 55V 75V
Pd-功率耗散(Max) 130W(Tc) 230W
输出电容 - 525pF
栅极电压Vgs ±16V 3V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 5V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 86A 75A
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2880pF @ 25V -
输入电容 - 5260pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 8.5mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2880pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
210+ :  ¥8.1143
400+ :  ¥6.8765
800+ :  ¥6.3087
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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D2PAK

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¥8.1143 

阶梯数 价格
210: ¥8.1143
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